快科技5月25日音信，在与SK双双延长第十代NAND量产节点之际，铠侠在堆叠层数层面开始交出了量产时刻表。

铠侠近日讲求将第十代BiCS10 3D NAND闪存量产列为2026财年庞杂策略重心，量产时刻锁定2026年5月至2027年3月区间。

本事规格上，BiCS10遴荐332层存储单位堆叠架构，比拟现金BiCS8的218层增多约52%，A8体育直播中国官网入口位密度提高高达59%。

互助Toggle DDR 6.0接口要领，I/O传输速率从上一代的3.6Gbps提高至4.8Gbps，增幅约33%。输入功耗缩短10%，2026世界杯即时比分输出功耗缩短34%，在要领TLC时势下可罢了单颗2Tb存储容量。

这款芯片沿用了CMOS成功键合阵列（CBA）架构，将逻辑电路和存储阵列分歧在不同晶圆上制造后再键合。这种运筹帷幄无需借助更复杂的PLC架构即可罢了密度与可靠性的均衡。

坐褥布局方面，铠侠将BiCS10的量产任务分派至日本岩手县北上市的K2新工场。该工场配备专为高层NAND闪存运筹帷幄的拔擢，在成本支拨上较新建工场大幅压缩。

值得选藏的是，铠侠于今尚未讲求收到大鸿沟阐发订单，联系投资概述瞻望到2026年下半年才慢慢豁达。量产时刻表与实质出货量之间的差距，还是铠侠规划中最大的不笃定成分。